型号:0734151960 | 类别: | 制造商: |
封装: | 描述: |
详细参数
供应商
0734151960相关型号
- TPC8031-H(TE12LQM)
FET - 单
Toshiba
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
- T95Y106M025ESAL
钽
Vishay Sprague
2910(7227 公制)
CAP TANT 10UF 25V 20% 2910
- URS0J222MHD
电容器
Nichicon
径向,Can
CAP ALUM 2200UF 6.3V 20% RADIAL
- TNPW121078R7BETA
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
1210(3225 公制)
RES 78.7 OHM 1/3W 0.1% 1210
- TNPW25122K20BEEG
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
2512(6432 公制)
RES 2.20K OHM 1/2W 0.1% 2512
- TPC8034-H(TE12LQM)
FET - 单
Toshiba
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
- URS1A101MDD
电容器
Nichicon
径向,Can
CAP ALUM 100UF 10V 20% RADIAL
- TPC8109(TE12L)
FET - 单
Toshiba
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
- USP7766RA
温度探头
US Sensor
径向,Can
THERMISTOR NTC 10K 1% PIPE PROBE
- TNPW25122K20BETG
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
2512(6432 公制)
RES 2.20K OHM 1/2W 0.1% 2512
- TNPW12107K50BETA
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
1210(3225 公制)
RES 7.50K OHM 1/3W 0.1% 1210
- URS1A221MDD
电容器
Nichicon
径向,Can
CAP ALUM 220UF 10V 20% RADIAL
- TPC8109(TE12L,Q,M)
FET - 单
Toshiba
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
MOSFET P-CH SNGL -30V -10A SOP-8
- URS1A470MDD
电容器
Nichicon
径向,Can
CAP ALUM 47UF 10V 20% RADIAL
- TPC8117(TE12L,Q)
FET - 单
Toshiba
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
- TNPW25122K21BETG
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
2512(6432 公制)
RES 2.21K OHM 1/2W 0.1% 2512
- TNPW12107K87BEEA
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
1210(3225 公制)
RES 7.87K OHM 1/3W 0.1% 1210
- USPTL4
其它
B&B Electronics
-
CONVERTER USB TO RS-422/485
- URS1A472MHD
电容器
Nichicon
径向,Can
CAP ALUM 4700UF 10V 20% RADIAL
- TPC8134,LQ(S
FET - 单
Toshiba
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP
- TPC8207(TE12L,Q)
FET - 阵列
Toshiba
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
MOSFET N-CH DUAL 20V 6A SOP-8
- TPCA8052-H(TE12LQM
FET - 单
Toshiba
8-PowerVDFN
MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP
- USR 2-0808 120 OHM D 0.01% 1PPM
通孔电阻器
Riedon
径向
RES 120 OHM .6W .01% FOIL RADIAL
- TNPW25122K26BEEG
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
2512(6432 公制)
RES 2.26K OHM 1/2W 0.1% 2512
- URS1E100MDD
电容器
Nichicon
径向,Can
CAP ALUM 10UF 25V 20% RADIAL
- TNPW1210806KBEEN
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
1210(3225 公制)
RES 806K OHM 1/3W 0.1% 1210
- TPC8403(TE12L,Q)
FET - 阵列
Toshiba
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOP
- URS1H101MPD
电容器
Nichicon
径向,Can
CAP ALUM 100UF 50V 20% RADIAL
- TPC8403(TE85L,F)
FET - 阵列
Toshiba
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP
- USR 2-0808 15K OHM D 0.01% 1PPM
通孔电阻器
Riedon
径向
RES 15K OHM .6W .01% FOIL RADIAL
- TNPW25122K26BETG
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
2512(6432 公制)
RES 2.26K OHM 1/2W 0.1% 2512
- TNPW1210820RBEEA
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
1210(3225 公制)
RES 820 OHM 1/3W 0.1% 1210
- URS1H330MDD
电容器
Nichicon
径向,Can
CAP ALUM 33UF 50V 20% RADIAL
- TPCA8056-H,LQ(M
FET - 单
Toshiba
8-PowerVDFN
MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP-ADV
- TPC8A01(TE12L,Q)
FET - 阵列
Toshiba
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP
- USR 2-0808 2K OHM D 0.01% 1PPM
通孔电阻器
Riedon
径向
RES 2.0KOHM .6W .01% FOIL RADIAL
- URZ0J222MHD
电容器
Nichicon
径向,Can
CAP ALUM 2200UF 6.3V 20% RADIAL
- URS1HR47MDD
电容器
Nichicon
径向,Can
CAP ALUM 0.47UF 50V 20% RADIAL
- TNPW25122K32BEEY
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
2512(6432 公制)
RES 2.32K OHM 1/2W 0.1% 2512
- TNPW121082K0BEEA
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
1210(3225 公制)
RES 82.0K OHM 1/3W 0.1% 1210